MWC2015上，三星正式发布了2015年的全新旗舰机型——三星GALAXY S6/S6 Edge，因为某些方面的原因，在正式发布之前我们几乎可以确定此代旗舰机型将与骁龙810无缘，但实际上知道了Exynos 7420的大致参数之后我们显然对于这款处理器更加感兴趣，而目前曝光的跑分则表明Exynos 7420确实无愧于旗舰的称号，起码在存储方面的性能足以秒杀对手。

三星S6存储性能秒杀对手

根据此前GeekBench数据库跑分数据可以看出，Exynos 7420在性能上的表现足以媲美甚至超越骁龙810，而在phonearena的评测当中我们可以看到Exynos 7420在存储性能方面的表现确实足够抢眼。在AndroBench的三项存储测试中，三星 GALAXY S6/S6 Edge以非常巨大的优势超越了LG G3、索尼Xperia Z3以及HTC One M8等机型，虽然是新旗舰与上一代旗舰相比确实有些不公平，但是这样的分数差距足以证明Exynos 7420的强大。

事实上，存储性能如此出色除了SoC在带宽方面提升之外，UFS 2.0存储标准的支持也是非常关键的一个因素，而这样强力的存储表现对于高清摄录、传输速度以及平时系统、应用的响应速度也是有着明显的帮助，可以说在体验也有着不小的提升。