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韩媒质疑东芝推出96层堆叠3D NAND Flash消息,指为刻意炒作
发表时间:2017年7月4日 15:42 来源:Flickr 责任编辑:麒麟

日前全球第 2 大 NAND Flash 快闪存储器厂商东芝(Toshiba)宣布,携手 SanDisk 研发出全球首款采用 96 层堆叠制程技术的 3D NAND Flash 产品,并已完成试样。有韩国媒体质疑此消息的真实性,直指目前东芝正与优先获得半导体业务竞价的“美日韩联盟”商讨出售事宜,此消息可能是东芝为了顺利售出半导体业务而放出的假消息,刻意混淆视听。

韩国媒体 BusinessKorea 报导指出,东芝与西部数据(Western Digital)在出售半导体业务上意见不合,以致撕破脸对簿公堂,这对于商讨中的出售案并不有利。加上东芝急于筹措营运资金,否则可能面临从东京证交所下市的危机。BusinessKorea 表示,有许多韩国业界人士质疑,现阶段的东芝是否有机会和已成为西部数据子公司的 SanDisk 共同开发新产品,也质疑当前的东芝是否真有财力进行研发投资。

韩国相关人士猜测,东芝在此时发布成功开发 96 层 3D NAND Flash 的消息,可能想要误导媒体,且趁机炒热旗下半导体业务的价值。借由消息发布,不但可拉抬东芝半导体技术上的优势,以抬高其售价,还可掩饰与西部数据的争议,加速出售进度,故东芝在这个时间点放出消息相当可疑。

报导也表示,事实上目前 NAND Flash 的龙头厂三星已研发出 96 层 3D NAND Flash 产品,但考量到产品越先进,量产越困难,至今尚未对外宣布,预计要到全面量产后再宣布。报导还力挺三星指出,就算堆叠层数相同,但是依各家公司技术和制造方法的差异,性能表现仍有差异。就算堆叠层数变多,也不能保证效能一定更好。

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